CZ 산화물 단결정 | 구분 | TSSG SiC 단결정 |
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Melt(융액) Growth | 성장법 | Solution(용액) Growth |
Pt, Ir | 도가니 재질 | Graphite |
Ar, N2, O2 | 성장 분위기 | Ar, N2, He |
구분 | PVT(기상법) | TSSG(액상법) | 비고 |
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구조 | ![]() |
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불안정한 물질 전달요소 감소 |
Source | 고가 SiC powder | Si + C Melt (금속 촉매 첨가) |
저가 Si 원료 사용 →제조비용 감소 |
Size | 6인치 (Commercialized) | 4인치 (Developed) | Meniscus 및 방사방향 성장 제어 →대구경 성장 |
성장온도 | 2,200 ~ 2,500℃ | 1,700 ~ 2,100℃ | PVT 比 저온 공정 →소비전력 우위 |
특징 |
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주요기업 | Cree, II-VI, Dow Corning, NSSMC, Denso, SiCrystal, SICC, Tankeblue,… | NSSMC, Toyota, Shinetsu, Hitachi, Nagoya Univ., Univ. of Tokyo, AIST,… | 일본을 중심으로 용액성장 연구진행 中 |