R&D

TSSG-SiC

TSSG SiC 성장공정

CZ 산화물 단결정 구분 TSSG SiC 단결정
Melt(융액) Growth 성장법 Solution(용액) Growth
Pt, Ir 도가니 재질 Graphite
Ar, N2, O2 성장 분위기 Ar, N2, He

PVT vs TSSG

구분 PVT(기상법) TSSG(액상법) 비고
구조 불안정한 물질
전달요소 감소
Source 고가 SiC powder Si + C Melt
(금속 촉매 첨가)		 저가 Si 원료 사용
→제조비용 감소
Size 6인치 (Commercialized) 4인치 (Developed) Meniscus 및 방사방향
성장 제어
→대구경 성장
성장온도 2,200 ~ 2,500℃ 1,700 ~ 2,100℃ PVT 比 저온 공정
→소비전력 우위
특징
  • 종자결정 품질의존도 높음
  • Micropipe, Dislocation등
    결함 제어 난해
  • 성장 과정에서 결함제어
  • Metal의 용해도 제어를 통한
    고품질 단결정 성장
  • 종자결정보다 우수한 결정성장
  • 열평형조건→고속성장
주요기업 Cree, II-VI, Dow Corning, NSSMC, Denso, SiCrystal, SICC, Tankeblue,… NSSMC, Toyota, Shinetsu, Hitachi, Nagoya Univ., Univ. of Tokyo, AIST,… 일본을 중심으로 용액성장 연구진행 中